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但对于DD器件，建设睫μ4p在200K左右达到一个峰值，随着温度进一步下降而逐渐减小。已迫本工作比较了相同浓度45%PPh3溶液掺杂的调制掺杂(MD)WSe2/hBN/MoS2和直接掺杂(DD)MoS2 FETs的相关输运特性。图2.基于电荷转移的WSe2/hBN/MoS2异质结构的远程调制掺杂三、年华能配MoS2MODFETs中的温度依赖性电子输运。

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